[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体的制备方法有效
| 申请号： | 201810882399.9 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109103106B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成一氧化层；刻蚀所述氧化层以形成具有垂直侧壁的图案化的氧化层；在所述衬底和所述图案化的氧化层上形成一辅助层；刻蚀所述辅助层暴露所述衬底和所述图案化的氧化层以形成场板氧化层。在本发明提供的一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，刻蚀氧化层形成图案化的氧化层，接着在图案化的氧化层上形成一辅助层，刻蚀辅助层以形成场板氧化层，场板氧化层的侧壁不再是比较直的侧壁，而是有弧度的侧壁，场板氧化层与衬底之间夹角处的多晶硅可以清除干净，从而增加LDMOS的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体的制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成一氧化层；刻蚀所述氧化层以形成具有垂直侧壁的图案化的氧化层；在所述衬底和所述图案化的氧化层上形成一辅助层；刻蚀所述辅助层暴露所述衬底和所述图案化的氧化层以形成具有弧度侧壁的场板氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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