[发明专利]一种石墨烯辅助的定位生长钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810884191.0 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109087849A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴春艳;钟威;杜睿超;贵体军;朱韬略;冯雨舟;谢超;罗林保 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0264;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯辅助的定位生长钙钛矿薄膜的方法，其是在目标基底上转移一层单层石墨烯，然后通过紫外曝光光刻技术，在石墨烯上定位需要生长钙钛矿薄膜的目标区域；再去除目标区域内的石墨烯并使目标区域亲水化，旋涂钙钛矿前驱体溶液并退火，使目标区域内生长钙钛矿薄膜；最后去除剩余石墨烯，即实现了钙钛矿薄膜的定位生长。本发明利用表面疏水的单层石墨烯，结合紫外曝光光刻技术，定位生长窗口，可以实现任意衬底上钙钛矿薄膜的定位生长，降低了对衬底的疏水性需求。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 定位生长 石墨烯 目标区域 单层石墨烯 光刻技术 紫外曝光 辅助的 衬底 去除 退火 前驱体溶液 表面疏水 生长 钙钛矿 目标基 亲水化 疏水性 旋涂 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯辅助的定位生长钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、在目标基底上转移一层化学气相沉积法生长的单层石墨烯；b、旋涂光刻胶并通过紫外曝光光刻技术，在所述石墨烯上定位需要生长钙钛矿薄膜的目标区域；c、利用氧等离子体轰击目标基底，去除目标区域内的石墨烯并使目标区域亲水化；d、去除光刻胶，旋涂钙钛矿前驱体溶液并退火，使目标区域内生长钙钛矿薄膜；e、去除剩余石墨烯，即实现了钙钛矿薄膜的定位生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
