[发明专利]一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池

摘要

本发明属于同位素电池领域，涉及一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池。所述电池包括发射极、收集极、填充介质和电池外壳，所述电池包括多个基本单元，一个基本单元由一个发射极和一个收集极组成，填充介质填充在发射极和收集极之间，发射极的两端通过发射极连接材料与电池外壳连接，发射极为双层或三层结构；每两个收集极之间通过绝缘支撑材料连接，所有收集极通过收集极连接材料串联，发射极为双面发射，除两端的收集极外其余收集极为双面收集。所述结构简单，通过双面直接收集放射性同位素源衰变过程中不断释放出的带电粒子，将其衰变能直接转化为电能。

主权项

1.一种网状支撑薄膜源直充式同位素电池，其特征在于：所述电池包括发射极(1)、收集极(2)、填充介质(6)和电池外壳(7)，其中，发射极(1)、收集极(2)和填充介质(6)位于电池外壳(7)内部，所述电池包括多个基本单元，一个基本单元由一个发射极(1)和一个收集极(2)组成，填充介质(6)填充在发射极(1)和收集极(2)之间，发射极(1)的两端通过发射极连接材料(5)与电池外壳(7)连接，发射极(1)为双层结构，由一层网状支撑材料(12)和一层覆盖在网状支撑材料(12)上的放射性同位素自支撑薄膜(11)组成；每两个收集极(2)之间通过绝缘支撑材料(3)连接，所有收集极(2)通过收集极连接材料(4)串联，发射极(1)为双面发射，除两端的收集极(2)外其余收集极(2)为双面收集；/n其中，所述放射性同位素自支撑薄膜(11)的厚度为1-500nm；所述放射性同位素自支撑薄膜源为含β放射性同位素或α放射性同位素的单质、化合物或混合物；/n所述网状支撑材料(12)的网孔与网径的比率大于1：1；/n所述收集极(2)材料为低原子序数的金属或合金材料；/n所述绝缘支撑材料(3)为电阻率大于10⁹Ω·m的绝缘材料；/n所述收集极连接材料(4)和发射极连接材料(5)为导电性材料；/n所述填充介质(6)的真空度小于10Pa；/n所述电池外壳(7)材料为可承受内外压差1个标准大气压的材料。/n