[发明专利]用于半桥电路门极保护的两极钳位电路及其应用有效
| 申请号： | 201810886065.9 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN108599749B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 施贻蒙;徐晓彬;李军;王文广;何卫安;刘乃强;赵亚楠;沈建;周才运;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 杭州飞仕得科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/04;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一用于半桥电路门极保护的两极钳位电路，通过在传统的半桥电路上设置2个开关管S2,S3做门极钳位的方式，增加晶体管门极的抗DVDT性能，保护门极工作在安全范围以内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电路 保护 两极 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.用于半桥电路门极保护的两极钳位电路，包括第一电压型驱动晶体管Q1，第二电压式驱动晶体管Q2,其中所述第二电压式驱动晶体管Q2内有一寄生米勒电容CRSSQ1，所述寄生米勒电容CRSSQ2的一端连接于所述第二电压型驱动晶体管Q2的集极，另一端连接于所述第二电压型驱动晶体管Q2的门极，形成第一并联体，所述第二电压型驱动晶体管Q2的漏极与所述第一电压型驱动晶体管Q1的源极串联连接，所述第二电压型驱动晶体管Q2的漏极连接低电平，所述第一电压型驱动晶体管Q1的漏极接高电压，其特征在于，包括：第一开关管S1，第二开关管S2，第三开关管S3以及第一电阻R1，其中所述第一开关管S1串联连接所述第一电阻R1后和第二开关管S2并联连接，形成第二并联件，所述第二并联件一端连接负电平VEE,另一端串联连接所述第一并联件，所述第三开关管S3的一端也与所述第一并联件串联，另一端接地。
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