[发明专利]振荡器在审
申请号: | 201810886487.6 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN109067363A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 陶霞菲 | 申请(专利权)人: | 杭州展虹科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/24 | 分类号: | H03B5/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种振荡器。振荡器包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第四电阻和第一比较器。利用该发明可以有效地减小芯片面积。 | ||
搜索关键词: | 电阻 振荡器 比较器 有效地 电容 减小 芯片 | ||
【主权项】:
1.振荡器,其特征在于:包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二电阻、第一电容、第三电阻、第四电阻和第一比较器;所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极,另一端接地;所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第三PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第三PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和所述第一比较器的输出端,漏极接所述第一NMOS管的漏极和所述第二电阻的一端,源极接所述第二PMOS管的漏极;所述第一NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一比较器的输出端,漏极所述第三PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端,源极接地;所述第二电阻的一端接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极,另一端接所述第一电容的一端和所述第一比较器的正输入端;所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的正输入端,另一端接地;所述第三电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第四电阻的一端和所述第一比较器的负输入端;所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第一比较器的负输入端,另一端接地;所述第一比较器的正输入端接所送第二电阻的一端和所述第一电容的一端,负输入端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端,输出端接所述第三PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极。
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