[发明专利]一种传感器有效
| 申请号： | 201810886846.8 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109211281B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;冷群文;王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传感器，包括第一衬底以及通过第一间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，检测结构包括第一磁体、第二磁体，以及设置在第一磁体、第二磁体形成共同磁场中的磁阻传感器；初始位置时，所述磁阻传感器位于第一磁体的磁场方向与第二磁体的磁场方向相反的位置；所述磁阻传感器被配置为在振膜的振动过程中感应第一磁体、第二磁体共同磁场的变化而输出变化的电信号；还包括调节磁阻传感器与第一磁体、第二磁体之间相互位置的驱动装置。本发明的传感器，通过驱动装置可以微调磁阻传感器与第一磁体、第二磁体之间的相对位置，保证磁阻传感器可以工作在合适的磁场中，避免了因制造、装配误差对传感器灵敏度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻传感器 传感器 磁场 磁场方向 驱动装置 衬底 振膜 传感器灵敏度 磁体形成 输出变化 振动过程 装配误差 间隔部 微调 检测 支撑 配置 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种传感器，其特征在于，包括第一衬底以及通过第一间隔部支撑在第一衬底上方的振膜，还包括用于输出表征振膜形变电信号的检测结构；所述检测结构包括第一磁体、第二磁体，以及设置在第一磁体、第二磁体形成共同磁场中的磁阻传感器；初始位置时，所述磁阻传感器位于第一磁体的磁场方向与第二磁体的磁场方向相反的位置；所述磁阻传感器被配置为在振膜的振动过程中感应第一磁体、第二磁体共同磁场的变化而输出变化的电信号；还包括调节磁阻传感器与第一磁体、第二磁体之间相互位置的驱动装置。
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