[发明专利]存储装置及存储装置的制造方法有效
| 申请号： | 201810886873.5 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110311034B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 伊藤雄一;松尾浩司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种包含高性能的存储器元件的存储装置及存储装置的制造方法。一实施方式的存储装置的制造方法包含在半导体衬底的上方形成具有切换功能的状态变化层的步骤。在状态变化层的上表面上形成包含碳的导电体。使导电体的上表面的粗糙度降低。在导电体的粗糙度被降低的上表面的上方形成第1强磁性体。在第1强磁性体的上表面上形成非磁性体。在非磁性体的上表面上形成第2强磁性体。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置的制造方法，其特征在于具备如下步骤：在半导体衬底的上方形成具有切换功能的状态变化层；在所述状态变化层的上表面上形成包含碳的导电体；使所述导电体的上表面的粗糙度降低；在所述导电体的所述粗糙度被降低的上表面的上方形成第1强磁性体；在所述第1强磁性体的上表面上形成非磁性体；及在所述非磁性体的上表面上形成第2强磁性体。
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