[发明专利]一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器在审
| 申请号： | 201810888810.3 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109148683A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄安平;张新江 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层。其中阻变功能层为黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。本发明具有如下优点：本发明利用黑磷容易自然氧化成氧化磷的特点设计了BP和P4Ox范德华异质结，将黑磷在应用中的不足变为可利用的优点。同时，利用BP和P4Ox范德华异质结对阳离子的束缚作用和电导可变特性设计了基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器。本发明电学性能优异，且具有良好的散热性。本发明的制备方法简单，成本低，存储稳定，可使用领域广泛，有利于黑磷德华异质结忆阻器的大规模生产及产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 黑磷 异质结 忆阻器 氧化物 功能层 产业化应用 存储稳定 底电极层 电学性能 顶电极层 金属离子 可变特性 自然氧化 散热性 阳离子 氧化磷 掺入 衬底 电导 异质 制备 束缚 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层，其特征在于：所述的阻变功能层为黑磷BP和黑磷氧化物P4Ox的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。
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