[发明专利]阻抗电路在审
| 申请号： | 201810889556.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109428566A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 温松翰;陈冠达 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46;H03F3/45;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 白华胜;王蕊 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阻抗电路，包括第一和第二多晶硅电阻器。第一多晶硅电阻器具有耦接到第一节点的第一端子和耦接到第二节点的第二端子，其第一端子和第二端子之间的电阻值根据第一控制电压确定。第二多晶硅电阻器具有耦接到第一节点的第一端子和耦接到第二节点的第二端子，其第一端子和第二端子之间的电阻值根据第二控制电压确定。第一控制电压和第二控制电压根据第一节点处的第一电压和第二节点处的第二电压确定。本发明的阻抗电路可以消除多晶硅电阻器的耗尽效应，使得多晶硅电阻器更线性和更遵循欧姆定律。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅电阻器 控制电压 阻抗电路 节点处 电阻 电压确定 耗尽效应 欧姆定律 | ||
【主权项】：
1.一种阻抗电路，包括：第一多晶硅电阻器，其中所述第一多晶硅电阻器具有耦接到第一节点的第一端子和耦接到第二节点的第二端子；以及第二多晶硅电阻器，其中所述第二多晶硅电阻器具有耦接到所述第一节点的第一端子和耦接到所述第二节点的第二端子；其中所述第一多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据第一控制电压确定；其中所述第二多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据第二控制电压确定；其中所述第一控制电压和所述第二控制电压根据所述第一节点处的第一电压和所述第二节点处的第二电压确定。
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