[发明专利]原子层沉积装置在审
| 申请号： | 201810890088.7 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108715999A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 夏洋 | 申请（专利权）人： | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原子层沉积装置，所述原子层沉积装置包括：第一真空腔、第一样品台、第一真空泵、第二真空泵、第一反应气体源、第二反应气体源以及第一惰性气体源；其中，所述第一样品台设置在所述第一真空腔中；所述第一真空腔包括进气口和出气口，所述第一真空腔的进气口通过管道连接所述第一反应气体源、所述第二反应气体源以及所述第一惰性气体源，所述第一真空腔的出气口通过管道连接所述第一真空泵和所述第二真空泵。本发明提供的原子层沉积装置，通过设置两个真空泵，能够避免两种反应前驱体在同一个真空泵中发生反应而影响真空泵的抽气效率。 | ||
| 搜索关键词： | 真空泵 真空腔 原子层沉积装置 反应气体源 进气口 惰性气体源 管道连接 出气口 样品台 反应前驱体 影响真空泵 抽气效率 | ||
【主权项】：
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：第一真空腔(11)、第一样品台(12)、第一真空泵(13)、第二真空泵(14)、第一反应气体源(15)、第二反应气体源(16)以及第一惰性气体源(17)；其中，所述第一样品台(12)设置在所述第一真空腔(11)中；所述第一真空腔(11)包括进气口和出气口，所述第一真空腔(11)的进气口通过管道连接所述第一反应气体源(15)、所述第二反应气体源(16)以及所述第一惰性气体源(17)，所述第一真空腔(11)的出气口通过管道连接所述第一真空泵(13)和所述第二真空泵(14)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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