[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质在审
申请号: | 201810893181.3 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN109390252A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 宫原理 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质,用于防止在使基板的下表面干燥时处于干燥区域的外侧的液膜碎裂而产生液滴,并且防止微粒附着于卡盘构件及其周边的基板的下表面。基板处理方法包括:液处理工序,一边使基板旋转一边对基板的下表面供给处理液来进行液处理;以及干燥工序,在该液处理工序之后,一边对基板的下表面供给非活性气体一边进行基板的干燥处理。在干燥工序中,在开始进行干燥处理后且在基板的下表面中央部存在液膜的状态下(时间点T2~T3),以第一供给流量(FR2)供给非活性气体,在基板的下表面中央部不再存在液膜后(时间点T3~T4),以比第一供给流量少的第二供给流量(FR3)供给非活性气体。 | ||
搜索关键词: | 下表面 基板 非活性气体 供给流量 基板处理 液处理 液膜 基板处理装置 存储介质 干燥处理 干燥工序 对基板 时间点 中央部 干燥区域 基板旋转 卡盘构件 微粒附着 碎裂 处理液 液滴 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:基板保持构件,其保持基板的周缘部;旋转部,其具有设置有所述基板保持构件的板,通过使所述板旋转来使所述基板旋转;流体供给部,其配置于所述旋转部的中央,对被所述基板保持构件保持的所述基板的下表面供给处理液和非活性气体;以及控制部,其进行以下控制:一边使所述基板旋转一边对所述基板的下表面供给处理液来进行液处理,在进行所述液处理之后,一边对所述基板的下表面供给所述非活性气体一边进行所述基板的干燥处理,其中,所述控制部进行以下控制:在开始进行所述干燥处理后且在所述基板的下表面中央部存在液膜的状态下,以第一供给流量供给所述非活性气体,在所述下表面中央部不再存在液膜之后,以比所述第一供给流量少的第二供给流量供给所述非活性气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810893181.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统
- 下一篇:减压干燥装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造