[发明专利]一种图形化衬底、发光二极管外延片及其制备方法有效
申请号: | 201810894466.9 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN109360871B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 李鹏;郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/12 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种图形化衬底、发光二极管外延片及其制备方法,属于半导体技术领域。所述图形化衬底包括衬底和多个凸起,所述衬底的第一表面包括交错排列的沟道区和由所述沟道区分隔形成的多个独立区,所述多个凸起分别设置在不同的所述独立区上,所述图形化衬底还包括多个凹陷部,所述多个凹陷部分别位于不同的所述独立区上,且所述凹陷部所在的独立区与所述凸起所在的独立区不同。本发明通过在衬底上原本设置凸起的部分区域不设置凸起,改为凹陷部,改变这个区域的晶体长速,使凹陷部和凸起采用不同长速的晶体可以相互作用和配合,充分释放外延垒晶产生的应力和缺陷,提升整个外延片的长晶质量,最终提高LED的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 衬底 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图形化衬底,所述图形化衬底包括衬底和多个凸起,所述衬底的第一表面包括交错排列的沟道区和由所述沟道区分隔形成的多个独立区,所述多个凸起分别设置在不同的所述独立区上,其特征在于,所述图形化衬底还包括多个凹陷部,所述多个凹陷部分别位于不同的所述独立区上,且所述凹陷部所在的独立区与所述凸起所在的独立区不同。
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