[发明专利]提高套刻精度的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810894929.1 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110824847B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高套刻精度的刻蚀方法，该方法为提供一组合掩膜版，该组合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形；对应于该组合掩膜版的下方放置有基底且基底和组合掩膜版彼此不接触，在基底上形成待图案化的材料层，材料层从下到上依次包括底掩膜层、中间掩膜层、顶掩膜层及第一光刻胶层，将第一光掩膜图形曝光显影至第一光刻胶层并转印，将第二光掩膜图形经曝光显影并转印，最后刻蚀底掩膜层。本发明将复杂的掩膜图形在一个刻蚀制程中转印至基底上，简化刻蚀工艺并提高了套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 精度 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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