[发明专利]发光二极管和其制造方法在审
| 申请号： | 201810895221.8 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109473524A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜;李欣薇 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;周勇 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管和其制造方法。发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层以及主动层。第一型半导体层包含低阻值部分和高阻值部分。低阻值部分通过高阻值部分与第一型半导体层的至少一个边缘分开。第一型半导体层的电阻率自低阻值部分向高阻值部分增加。主动层设置在第一型半导体层和第二型半导体层之间。主动层具有第一区域和第二区域，第一区域的穿透位错密度大于第二区域的穿透位错密度，且低阻值部分在主动层上的垂直投影与第二区域至少部分重叠。低阻值部分和高阻值部分的组合可限制电流进入主动层的区域，使得主动层的发光区域内的电流密度增加，并因此增进发光二极管的操作稳定性和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 主动层 第一型半导体层 发光二极管 第二区域 第二型半导体层 穿透位错 第一区域 操作稳定性 垂直投影 发光区域 限制电流 电阻率 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：第一型半导体层，所述第一型半导体层包含低阻值部分和高阻值部分，其中所述低阻值部分通过所述高阻值部分与所述第一型半导体层的至少一个边缘分开，所述第一型半导体层的电阻率自所述低阻值部分向所述高阻值部分增加；第二型半导体层，其中所述第一型半导体层设置在所述第二型半导体层上；以及主动层，设置在所述第一型半导体层和所述第二型半导体层之间，其中所述主动层具有第一区域和第二区域，所述第一区域的穿透位错密度大于所述第二区域的穿透位错密度，且所述低阻值部分在所述主动层上的垂直投影与所述第二区域至少部分重叠。
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