[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201810895690.X | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN110289252A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 竹本康男 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/98 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实施方式提供一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第1衬底与第2衬底。将至少1个第1半导体芯片设置在第1衬底的第1面上。第1导线将第1半导体芯片与第1衬底之间电连接。第1树脂将第1半导体芯片及第1导线密封在第1面上。第1金属凸块设置在与第1面相反侧的第1衬底的第2面。第2衬底位于第1衬底的下方。将至少1个第2半导体芯片设置在第2衬底的第3面上且电连接于第1金属凸块。第2导线将第2半导体芯片与第2衬底之间电连接。第2树脂设置在第1衬底的第2面与第2衬底的第3面之间,且将第1金属凸块、第2半导体芯片及第2导线密封。第2金属凸块设置在与第3面相反侧的第2衬底的第4面。 | ||
搜索关键词: | 衬底 半导体芯片 金属凸块 半导体装置 电连接 导线密封 树脂 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:第1衬底;至少1个第1半导体芯片,设置在所述第1衬底的第1面上;第1导线,将所述第1半导体芯片与所述第1衬底之间电连接;第1树脂,将所述第1半导体芯片及所述第1导线密封在所述第1面上;第1金属凸块,设置在与所述第1面相反侧的所述第1衬底的第2面;第2衬底,位于所述第1衬底的下方;至少1个第2半导体芯片,设置在所述第2衬底的第3面上,且电连接于所述第1金属凸块;第2导线,将所述第2半导体芯片与所述第2衬底之间电连接;第2树脂,设置在所述第1衬底的所述第2面与所述第2衬底的所述第3面之间,且将所述第1金属凸块、所述第2半导体芯片及所述第2导线密封;以及第2金属凸块,设置在与所述第3面相反侧的所述第2衬底的第4面。
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