[发明专利]氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池及其制备方法，对单晶硅片进行表面化学处理，清除表面污染杂质；利用硝酸氧化法在硅片前后表面各生长一层超薄SiO₂层；在硅片正面的SiO₂薄膜上面，利用反应磁控溅射的方法制备氮掺杂的氧化钨薄膜，然后再溅射ITO导电薄膜；在硅片背面的SiO₂薄膜上面，利用热蒸镀的方法生长LiF；生长前后Ag电极。本发明利用反应磁控溅射方法生长氮掺杂的氧化钨薄膜，作为晶体硅异质结太阳能电池的空穴传输层，可以同时获得高电导率的氧化钨以及较大的氧化钨/单晶硅能带弯曲度。

主权项

1.氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池，其特征在于：具有如下的结构：Ag/ITO/N‑WOx/SiO2/n‑c‑Si/SiO2/LiF/Ag，其中Ag为金属银，ITO为掺锡的氧化铟透明导电薄膜，N‑WOx为氮掺杂的氧化钨，x＝2.5～3.0，SiO2为二氧化硅，n‑c‑Si为n型单晶硅衬底，LiF为氟化锂。