[发明专利]背面钝化层为氧化铝和氢化氮化铝的PERC电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810895991.2 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109087957A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;牟筛强;池丹;陆肖励 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背面钝化层为氧化铝和氢化氮化铝的PERC电池及其制备方法，电池具有如下的结构：银/氮化硅/n型晶体硅/p型晶体硅/氧化铝/氢化氮化硅/铝。制备时，首先清洗硅片并制绒，然后硅片进行三氯氧磷扩散、磷硅玻璃去除与边绝缘，接着正面生长氮化硅钝化和抗反射层，背面生长氧化铝/氢化氮化铝钝化层；再在背面激光开槽，正面和背面电极生长，最后退火处理。本发明的PERC电池，不仅背面钝化效果得到提升，而且提高了钝化膜的沉积速率，降低了PERC电池的生产成本，提升了量产效率，同时也大幅减少了对环境污染，是非常有推广应用价值的方案。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 氢化 电池 制备 背面钝化层 氮化硅 氮化铝 硅片 生长 背面 氮化铝钝化层 三氯氧磷扩散 氮化硅钝化 背面电极 背面钝化 激光开槽 抗反射层 磷硅玻璃 退火处理 钝化膜 量产 去除 制绒 沉积 绝缘 生产成本 清洗 | ||
【主权项】：
1.背面钝化层为氧化铝和氢化氮化铝的PERC电池，其特征在于：具有如下的结构：银/氮化硅/n型晶体硅/p型晶体硅/氧化铝/氢化氮化硅/铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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