[发明专利]一种提高多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的方法有效
| 申请号： | 201810897026.9 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN108998759B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 顾德恩;陈聪;郑宏航;刘蕊;秦浩鑫 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/58;B82Y40/00;C09K11/68 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 蒋秀清;李春芳 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的方法，包括通过物理气相沉积方法对多层二硫化钼薄膜表面沉积铂纳米颗粒，铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米；具有铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米，能够提高多层二硫化钼薄膜的间接带隙发光性能，相对于纯的多层二硫化钼薄膜，间接带隙发光性能提高，且优于银纳米颗粒对多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的提高，有利于提高光探测器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多层 二硫化钼 薄膜 间接 发光 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高多层二硫化钼薄膜间接带隙发光性能的方法，其特征在于，包括通过物理气相沉积方法对多层二硫化钼薄膜表面沉积铂纳米颗粒，铂纳米颗粒的颗粒尺寸小于10纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810897026.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有涂层的钻头
- 下一篇：一种低温镀氟化镁膜的工艺
- 同类专利
- 专利分类
