[发明专利]一种肖特基二极管器件在审
| 申请号： | 201810899042.1 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807555A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 任敏;何文静;杨梦琦;李泽宏;高巍;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管，属于半导体功率技术领域。本发明包括自下而上依次设置的金属化阴极、N+半导体衬底、N型半导体纳米线阵列、肖特基金属和金属化阳极，N型半导体纳米线空隙之间填充有复合绝缘介质层。由于不同介电常数的绝缘介质层形成的复合界面能够引入电场峰值，并且靠近金属化阳极一侧的绝缘介质层的介电常数较高，故而能够有效降低肖特基结处表面电场，使得半导体纳米线内部的电场分布更加均匀。由此提高器件的击穿电压并可适当增大半导体纳米线的掺杂浓度以降低导通电阻、减小导通损耗，从而改善肖特基二极管的击穿电压和正向导通压降的矛盾关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米线 肖特基二极管 金属化阳极 绝缘介质层 击穿电压 介电常数 肖特基二极管器件 复合绝缘介质 正向导通压降 半导体功率 金属化阴极 纳米线阵列 电场 表面电场 导通电阻 导通损耗 电场分布 复合界面 矛盾关系 肖特基结 依次设置 纳米线 肖特基 衬底 减小 填充 半导体 掺杂 金属 引入 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其结构包括自下而上依次设置的金属化阴极(1)、N+半导体衬底(2)、N型半导体纳米线阵列、肖特基金属(5)和金属化阳极(6)，其特征在于：所述N型半导体纳米线阵列由相互独立、互不接触的N型半导体纳米线(3)组成；N型半导体纳米线阵列之间填充有复合绝缘介质层(4)；所述复合绝缘介质层(4)是由至少两层绝缘介质层按照介电常数自下而上递增的规律相叠而成；所述复合绝缘介质层(4)的下表面与N+半导体衬底(2)相接触，复合绝缘介质层(4)和N型半导体纳米线阵列的上表面与肖特基金属(5)相接触。
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