[发明专利]一种互补型磁性存储单元有效
| 申请号： | 201810901797.0 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109166962B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;王昭昊;邓尔雅 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种互补型磁性存储单元，该存储单元包括一个重金属薄膜或反铁磁薄膜、第一磁隧道结、第二磁隧道结、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极。第一磁隧道结和第二磁隧道结被制造于重金属薄膜或反铁磁薄膜的上方。第一电极、第二电极和第三电极被制造于重金属薄膜或反铁磁薄膜的下方，第四电极被制造于第一磁隧道结的上方，第五电极被制造于第二磁隧道结的上方。为存储一比特数据，第一磁隧道结和第二磁隧道结被设置为一对互补的电阻状态，即其中一个磁隧道结被设置为高电阻状态，另一个磁隧道结被设置为低电阻状态。本发明降低读取错误率，在器件结构与数据写入机制方面进行优化，解决写入非对称性问题和额外面积开销。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 磁性 存储 单元 | ||
【主权项】：
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