[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、晶体管和显示基板有效
申请号: | 201810901799.X | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109037075B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 刘军;闫梁臣;周斌;方金钢;李伟;黄勇潮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示基板,其中方法包括:形成栅绝缘层;在栅绝缘层上形成栅金属层;在栅金属层上形成光刻胶的图形,以光刻胶的图形为掩膜对栅金属层进行刻蚀,形成栅极;在预设温度下烘烤光刻胶,以使光刻胶流动后包覆栅极的上表面和侧表面;以栅极以及包覆栅极的光刻胶为掩膜对栅绝缘层进行干刻,形成栅绝缘层的图形。利用栅极及包覆栅极的光刻胶为掩膜对栅绝缘层进行干刻时,可避免干刻时的等离子体对栅极金属造成轰击导致栅极金属散射入薄膜晶体管的沟道的技术问题,也就避免了散射到沟道的栅极金属影响沟道电压阈值稳定性的技术问题,优化了所制作的薄膜晶体管的阈值电压的均一性。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 制作方法 晶体管 显示 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:形成栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成栅金属层;在所述栅金属层上形成光刻胶的图形,以所述光刻胶的图形为掩膜对所述栅金属层进行刻蚀,形成栅极;在预设温度下烘烤所述光刻胶,以使所述光刻胶流动后包覆所述栅极的上表面和侧表面;以所述栅极以及包覆所述栅极的光刻胶为掩膜对所述栅绝缘层进行干刻,形成所述栅绝缘层的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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