[发明专利]CT性能校验仪表以及采用该仪表的CT性能校验方法

摘要

本发明属于电力系统领域，涉及继电保护CT原理领域，尤其涉及CT原理领域中的电磁饱和领域；具体为一种CT性能校验仪表。解决了目前缺乏一种能够快速、准确的检验CT特性的装置及方法的技术问题。一种CT性能校验仪表，包括外壳、设在外壳上的显示屏以及输入按键；外壳内部设有内部电路；所述内部电路包括芯片、两个加法电路、四个乘法电路和一个比较电路；将现场测试得到的二次负载和前述计算得出的保护校验极限系数Kpcf通过相应按键分别输入至校验仪表，并分别计算动作要求的二次感应电动势Es，并与额定二次极限电动势Esl，进行比较，并将对比较结果输出至显示屏；如果Esl≥Es，则此互感器满足实际需要，输出合格结果；如果Esl﹤Es，则输出合格结果。

主权项

1.一种CT性能校验仪表，包括外壳(1)、设在外壳(1)上的显示屏(2)以及输入按键(3)；其特征在于，外壳(1)内部设有内部电路；所述内部电路包括MCU、两个加法电路、四个乘法电路以及一个比较电路；所述MCU采用STM32F407增强型系列ARM Cortex‑M4 32位的RISC内核单片机；比较电路的输出端与MCU输入端相连接，MCU输出端与显示屏(2)相连接；所述乘法电路包括均为NPN型的T1、T2、T3、T4、T5五个三极管、两组电阻R；T3的发射极与T4的发射极以及T1的集电极相连接，T3的集电极与一个电阻R相连接，T6的发射极与T5的发射极以及T2的发射极相连接，T4和T5的基极共同接地，T1的发射极与T2的集电极相连接；T2的基极接地；T6的集电极与另一个电阻R相连接，T6的基极与T3的基极共同作为乘法电路的输入端；两个电阻R不与三极管相连接的一端共同作为积和输出端；T3的集电极与T5的集电极相连接，T4的集电极与T6的集电极相连接；所述比较电路包括两个电阻R6和一个运算放大器；两个电阻R6分别与运算放大器的正负输入端相连接，运算放大器的输出端作为整个内部电路的输出端与显示屏的信号输入端相连接；两个电阻R6的另一端作为比较电路的两个输入端；一个加法电路与两个乘法电路串联构成一路数据处理电路；每路数据处理电路中，加法电路的输出端与第一个乘法电路的输入端相连接；第一个乘法电路的积和输出端与第二个乘法电路的输入端相连接；第二个乘法电路的积和输出端通过一个电阻R6与比较电路的正/负输入端相连接；与比较电路正输入端相连接的数据处理电路中，第一个乘法电路的T1的基极作为Isn输入端；第二个乘法电路的T1的基极作为Kacf输入端；与比较电路负输入端相连接的数据处理电路中，第一个乘法电路的T1的基极作为Isn输入端；第二个乘法电路的T1的基极作为Kpcf输入端；与比较电路正输入端相连接的数据处理电路中，其包含的加法电路的一个输入端作为Rct输入端，另一个作为Rbn输入端；与比较电路负输入端相连接的数据处理电路中，其包含的加法电路的一个输入端作为Rct输入端，另一个作为Rb输入端；上述Kacf、Rct、Isn、Rbn、Kpcf、Rb均引出外壳(1)构成相应输入按键(3)；其中Kacf表示保护校验额定系数；Rct表示CT二次直阻、Isn表示额定电流、Rbn表示额定二次负载、Kpcf表示保护校验极限系数、Rb表示二次负载实测值。