[发明专利]掩模在审
| 申请号： | 201810902259.3 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110554562A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 涂志强;陈俊郎;杨世豪;陈政元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/38 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种掩模、其形成方法及一种使用所述掩模制造半导体装置的方法。所述掩模包括衬底、反射性多层式涂层、吸收层及吸收部。所述衬底包括掩模图像区及掩模框架区，其中所述掩模框架区具有与所述掩模图像区相邻的掩模黑色边界区。所述反射性多层式涂层设置在所述衬底之上。所述吸收层设置在所述反射性多层式涂层之上。所述吸收部在所述掩模黑色边界区中设置在所述反射性多层式涂层及所述吸收层中。 | ||
| 搜索关键词： | 多层式涂层 反射性 掩模 吸收层 衬底 黑色边界 掩模框架 掩模图像 半导体装置 掩模制造 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种掩模，包括：/n衬底，包括掩模图像区及掩模框架区，其中所述掩模框架区具有与所述掩模图像区相邻的掩模黑色边界区；/n反射性多层式涂层，设置在所述衬底之上；/n吸收层，设置在所述反射性多层式涂层之上；以及/n吸收部，在所述掩模黑色边界区中设置在所述反射性多层式涂层及所述吸收层中。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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