[发明专利]一种高阻AlGaN基光导开关器件及其制备方法

摘要

本专利公布了一种高阻AlGaN基光导开关器件及其制备方法，高阻AlGaN基光导开关器件包括：衬底、SiO₂层、阳极1、阳极2、阴极1、阴极2，高阻AlGaN基光导开关器件制备方法包括：制作衬底、制作电极2、制作SiO₂层、制作电极1。本发明主要是解决衬底材料生长、电极制作的问题，本发明采用AlGaN衬底，化学气相沉积法形成SiO₂层，电极分为两段，本发明提供一种可靠性高、响应更为迅速、性能更为优越的高阻AlGaN基光导开关器件及其制备方法。

主权项

1.一种高阻AlGaN基光导开关器件，包括：衬底(1)、SiO2层(2)、阳极1(3)、阳极2(4)、阴极1(5)、阴极2(6)；所述阳极1(3)和阳极2(4)共同组成光导开关的电极阳极；所述阴极1(5)和阴极2(6)共同组成光导开关的电极阴极；所述衬底(1)位于整个器件底部；所述SiO2层(2)位于衬底(1)上方；所述阳极1(3)位于SiO2层(2)上方，与阳极2(4)相连，阳极1(3)对外连接外部线路；所述阳极2(4)介于衬底(1)与SiO2层(2)之间，与阳极1(3)相连，二者共同组成阳极；所述阴极1(5)位于SiO2层(2)上方，与阴极2(6)相连，阴极1(5)对外连接外部线路；所述阴极2(6)介于衬底(1)与SiO2层(2)之间，与阴极1(5)相连，二者共同组成阴极。