[发明专利]经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置在审
| 申请号： | 201810902809.1 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109388842A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·德里亚·特泰克;萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼;安德鲁·D·贝利三世;亚历克斯·帕特森;理查德·A·戈奇奥 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。 | ||
| 搜索关键词： | 反射光谱 蚀刻 方法和装置 计算机模型 动力模型 反射光 子空间 优化 投射 匹配 尺度 模型参数 模型生成 蚀刻系统 输入参数 衬底 降维 半导体 关联 | ||
【主权项】：
1.一种优化计算机模型的方法，其将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数相关联，所述方法包括：(a)指定至少一个待优化的模型参数；(b)为所选定的成组的独立输入参数确定多组成组的值；(c)对于在(b)中所指定的每组成组的值，接收从使用在(b)中所指定的所述成组的值执行的实验蚀刻工艺的光学测量产生的实验反射光谱；(d)对于在(b)中所指定的每组成组的值，由所述模型使用在(b)中所指定的所述成组的值生成计算反射光谱；以及(e)修改在(a)中所指定的所述模型参数的值，并且用经修改的所述值重复(d)，以便相对于用于在(b)中所指定的所选定的所述成组的独立输入参数的一组或者多组成组的值，减少指示在(c)中所接收的所述实验反射光谱和在(d)中生成的对应的计算反射光谱之间的差的尺度；(f)使用所述计算机模型利用来自(e)的经修改的所述值来确定所述光刻掩模的图案；以及(g)应用所述图案以通过将坯料暴露于所述图案来产生所述光刻掩模。
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