[发明专利]镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201810902993.X 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN109161847B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 樊贞;谭政伟;田俊江 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35;C30B23/02;C30B29/22
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 吴静芝
地址: 510006 广东省广州市番禺区外*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用,该镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜的制备方法为S1:将Bi2O3、Fe2O3和Ga2O3混合后烧结压制成镓掺杂铁酸铋块;S2:将镓掺杂铁酸铋沉积在衬底上得到镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜。该镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜可用于制作电容器。本发明将镓掺杂到铁酸铋中,由于镓原子替代铁原子,使氧八面体畸变程度增大,c轴方向的一个氧原子向中心镓原子靠拢,而另一个则远离中心镓原子,氧八面体向氧四面锥转变,从而拉长c轴方向长度,使超四方相稳定化,使铁酸铋超四方相薄膜不受薄膜厚度、衬底应变、缓冲层等因素的限制。
搜索关键词: 掺杂 铁酸铋超 四方 外延 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:S1:将Bi2O3、Fe2O3和Ga2O3混合后烧结压制成镓掺杂铁酸铋块;S2:将镓掺杂铁酸铋沉积在衬底上得到镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜。
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