[发明专利]用于MEMS谐振传感器阵列的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201810903531.X 申请日: 2018-08-09
公开(公告)号: CN109387291B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 田友军 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 毕铮;陈岚
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了用于MEMS谐振传感器阵列的装置和方法。提供一种方法。所述方法包括:将周期性线性调频传输到MEMS传感器阵列的至少两个像素;确定接收周期性线性调频的每个MEMS谐振传感器的谐振频率;确定接收周期性线性调频的每个MEMS谐振传感器的谐振频率中的改变;确定入射在接收周期性线性调频的每个像素上的功率电平。在一个实施例中,所述方法还包括校准MEMS传感器阵列。在另一个实施例中,校准包括针对每个MEMS谐振传感器生成参考谐振频率。在另外的实施例中,确定功率电平包括确定所确定的谐振频率与参考谐振频率之间的差。
搜索关键词: 用于 mems 谐振 传感器 阵列 装置 方法
【主权项】:
1.一种装置,包括:信号发生器系统(312),被配置为生成周期性线性调频;检测器系统(316);MEMS谐振传感器阵列(300),其包括耦合到信号发生器系统和检测器系统的至少两个MEMS谐振传感器;耦合到检测器系统的处理系统(318);并且其中处理系统(318)包括:峰值检测器系统(318A),被配置为确定MEMS谐振传感器阵列(300)中的每个像素的谐振频率;图像检测系统(318B),被配置为基于所确定的谐振频率与对应的参考谐振频率之间的差来确定入射在每个像素上的红外辐射功率;并且其中图像检测系统(318B)包括参考数据库和比例因子数据库中的至少一个。
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