[发明专利]一种在绝缘衬底上制备石墨烯枝晶的方法有效
| 申请号： | 201810903586.0 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108910868B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 许士才;李迎仙;张晶;孙丽;于法鹏;王吉华;赵显 | 申请（专利权）人： | 德州学院;山东大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 253023 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在绝缘衬底上制备石墨烯枝晶的方法，属于微电子材料技术领域，先将绝缘衬底清洗，吹干；将衬底放入CVD管式炉中的石英内管外壁，管式炉抽真空，升温至200℃～300℃，通入氢气，温度升高至800℃～900℃时恒温刻蚀衬底表面；氢气刻蚀后缓慢升温，升温至1050～1080℃，恒温，通入碳源和氢气，进行石墨烯生长；生长结束，停止通入气体，先降温至700℃～800℃，再自然降温到室温。石墨烯枝晶的形态为树枝状，在枝干的顶端分布，通过对制备方法中甲烷的通入量，甲烷与氢气的比例等条件的控制实现了石墨烯在绝缘衬底上生长为枝晶状的结构。枝晶状石墨烯相较于网状石墨烯具有更优的力学和电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 衬底 制备 石墨 烯枝晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘衬底上制备石墨烯枝晶的方法，其特征在于：具体步骤为：1)将绝缘衬底清洗，吹干；2)将1)中吹干的衬底放入CVD管式炉中，管式炉抽真空，升温至200℃～300℃，通入氢气，温度升高至800℃～900℃时恒温刻蚀衬底表面；3)氢气刻蚀后缓慢升温，升温至1050～1080℃，恒温，通入碳源和氢气，进行石墨烯生长；4)生长结束，停止通入气体，先降温至700℃～800℃，再自然降温到室温，即得石墨烯枝晶。
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