[发明专利]外延基座及外延设备在审
| 申请号： | 201810903652.4 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108950680A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 董晨华;林志鑫;季文明;牛景豪 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延基座，包括基座主体、环形基座外沿及多个凸块；基座主体包括用于放置待处理的晶圆的基座载台及环绕基座载台外围的环形侧壁，基座载台与环形侧壁相连接；环形基座外沿位于环形侧壁上，环形基座外沿自基座主体向远离基座主体的方向延伸；多个凸块位于环形基座外沿的上表面，且沿环形基座外沿的周向均匀间隔排布。本发明的外延基座，能够实现（110）晶面上的外延沉积速率相应降低，从而使晶圆边缘整体的外延生长速度趋于相同，因而在本发明的外延基座中进行外延沉积的晶圆的ESFQR相对于在传统外延基座中沉积的晶圆有极大改善。本发明结构简单，使用方便。采用本发明的外延设备，能有效提高外延层厚度均匀性，提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 环形基座 外延基座 外沿 基座主体 环形侧壁 晶圆 载台 外延沉积 外延设备 凸块 均匀间隔排布 厚度均匀性 方向延伸 晶圆边缘 外延生长 上表面 外延层 良率 沉积 环绕 外围 生产 | ||
【主权项】：
1.一种外延基座，其特征在于，包括：基座主体，包括用于放置待处理的晶圆的基座载台及环绕所述基座载台外围的环形侧壁，所述基座载台与所述环形侧壁相连接；环形基座外沿，位于所述环形侧壁上，所述环形基座外沿自所述基座主体向远离所述基座主体的方向延伸；多个凸块，位于所述环形基座外沿的上表面，且沿所述环形基座外沿的周向均匀间隔排布，用于改变晶圆外延过程中的气流情况，以提高所述晶圆的外延均匀性。
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