[发明专利]基于梯度退火与反溶剂的全无机钙钛矿电池及其制备方法有效
申请号: | 201810903957.5 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109148644B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李耀文;陈炜杰;李永舫 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙周强;陶海锋 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于梯度退火与反溶剂协同效应制备无机钙钛矿电池的方法及制备的无机钙钛矿电池,是一种能够在低温下完成、制备简易、成本较低以及效率较高的钙钛矿太阳能电池,其中,钙钛矿层选择利用梯度退火以及反溶剂处理的溶液旋涂方式形成,能够得到更平整、更均匀、效率更高、更加稳定的薄膜。相较于常用的一步退火以及有毒反溶剂的方法,梯度退火的方法能形成更加致密的薄膜以及更纯的相态;绿色反溶剂的使用摒弃了传统的有毒反溶剂,有效减少了环境污染。并且,在微观结构上,反溶剂处理的薄膜晶粒达到微米级别,晶界极少,整个薄膜的缺陷态也因此得到了抑制,这也为钙钛矿薄膜的热稳定性和湿度稳定性提供了保障。 | ||
搜索关键词: | 基于 梯度 退火 溶剂 无机 钙钛矿 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于梯度退火与反溶剂协同效应制备无机钙钛矿电池的方法,其特征在于,采用梯度退火和反溶剂处理的方法制备钙钛矿层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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