[发明专利]一种注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明公布了一种注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法，注Al离子雪崩光电二极管包括：n⁺SiC衬底、n^‑SiC外延层、p型过渡层、p⁺欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，注Al离子雪崩光电二极管制备方法包括：制作n^‑SiC外延层、制作p⁺欧姆接触层、制作p型过渡层、退火激活修复、制作台面结构、制作保护层、制作电极、器件退火。本发明主要是解决SiC外延工艺复杂、p型层外延引起记忆效应的问题，通过注入Al离子形成p型过渡层和p⁺欧姆接触层，避免外延生长的记忆效应，利用退火来激活Al离子并修复受损的晶格进而提高器件性能，提供一种可靠性高、更为灵敏、性能更优越、外延工艺简单的注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法。

主权项

1.一种注Al离子雪崩光电二极管，包括：n+SiC衬底(1)、n‑SiC外延层(2)、p型过渡层(3)、p+欧姆接触层(4)、保护层(5)、n型电极(6)、p型电极(7)，其特征在于，所述n+SiC衬底(1)位于器件的最底部；所述n‑SiC外延层(2)位于n+SiC衬底(1)上；所述p型过渡层(3)位于n‑SiC外延层(2)上；所述p+欧姆接触层(4)位于p型过渡层(3)上；所述保护层(5)为SiO2层，位于器件外部，覆盖器件上表面除n型电极(6)和p型电极(7)外的其他区域；所述n型电极(6)为环状，位于n+SiC衬底(1)边缘上方；所述p型电极(7)位于p+欧姆接触层(4)上。