[发明专利]一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用

摘要

本发明公开一种P掺杂的Co₃S₄纳米片及其制备方法和应用，本发明的P掺杂的Co₃S₄纳米片为面心立方超薄片状结构，且P含量约为0.79％。本发明的P掺杂的Co₃S₄纳米片具有优异的OER性能，优于目前市售的RuO₂及IrO₂。本发明的P掺杂的Co₃S₄纳米片通过固液相化学反应制备，在常压和较低的温度下能可控制的合成；同时采用“一锅煮”的方式，利用程序控温模式制备，工艺简单、反应温度低、时间短，适合于批量生产。

主权项

1.一种P掺杂的Co₃S₄纳米片的制备方法，Co₃S₄纳米片为面心立方超薄片状结构，且P含量为0.7‑0.9%；其特征在于，包括如下步骤：1）将乙酰丙酮钴、油酸、正十二硫醇、十二胺的混合溶液升温至180‑220℃，保温反应一段时间；2）在所述1）的产物中加入三正辛基膦溶液，逐步升温至280‑320℃，继续保温反应一段时间，得到含有P掺杂的Co₃S₄纳米片的产物；3）将所述2）的产物在分散液中分散沉降后，进行离心分离，得到P掺杂的Co₃S₄纳米片；其各组分的添加比例为：乙酰丙酮钴1.5 mmol、油酸1.5 mL、正十二硫醇3.5 mL、十二胺3 mL、三正辛基膦5 mL；所述1）和2）中的反应时间均为20‑30 min。