[发明专利]一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备及应用有效
申请号: | 201810906071.6 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109060900B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 胡敬平;陈思静;帕乌刘斯·波贝丁斯卡斯;约翰·福德;肯·哈嫩;武龙胜;侯慧杰;刘冰川;杨家宽 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N21/35;C23C16/27 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明属于红外光谱技术领域,更具体地,涉及一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备和应用。其以衰减全反射晶片为基底,在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层,所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10 |
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搜索关键词: | 一种 金刚石 修饰 衰减 全反射 晶片 制备 应用 | ||
【主权项】:
1.一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片,其特征在于,其以衰减全反射晶片为基底,在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层,所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3~1Ω·cm;红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面,该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻,所述红外光在该内表面上发生折射和反射,折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层,且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。
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