[发明专利]一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备及应用有效

专利信息
申请号: 201810906071.6 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN109060900B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 胡敬平;陈思静;帕乌刘斯·波贝丁斯卡斯;约翰·福德;肯·哈嫩;武龙胜;侯慧杰;刘冰川;杨家宽 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N21/35;C23C16/27
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于红外光谱技术领域,更具体地,涉及一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备和应用。其以衰减全反射晶片为基底,在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层,所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3~1Ω·cm;红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面,该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻,所述红外光在该内表面上发生折射和反射,折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层,且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。该晶片实现良好导电作用的同时又使得红外信号检测成为可能,可实现待测分子在BDD电极表面电化学过程中的原位电化学检测,在电化学、原位红外检测领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 金刚石 修饰 衰减 全反射 晶片 制备 应用
【主权项】:
1.一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片,其特征在于,其以衰减全反射晶片为基底,在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层,所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3~1Ω·cm;红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面,该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻,所述红外光在该内表面上发生折射和反射,折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层,且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。
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