[发明专利]用于检测单晶硅太阳能电池的方法和装置有效
| 申请号： | 201810907552.9 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109256341B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 文亚伟;冷家冰;徐玉林;肖慧慧;刘明浩;郭江亮;李旭 | 申请（专利权）人： | 北京百度网讯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06T7/00;G06T7/62 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;马晓亚 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了用于检测单晶硅太阳能电池的方法和装置。该方法的一具体实施方式包括：获取待检测的单晶硅太阳能电池的电致发光图像；响应于确定电致发光图像满足预设的检测条件，将电致发光图像输入至预先训练的单晶硅太阳能电池缺陷检测系统，得到检测结果信息，其中，单晶硅太阳能电池缺陷检测系统包括至少一个基于语义分割的卷积神经网络，检测结果信息用于指示输入的电致发光图像中的像素显示的内容的类别，类别包括用于表示非缺陷的第一类别和用于表示缺陷的第二类别。该实施方式实现了利用基于语义分割的卷积神经网络对单晶硅太阳能电池进行检测，无需再由人工对单晶硅太阳能电池进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 单晶硅 太阳能电池 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测单晶硅太阳能电池的方法，包括：获取待检测的单晶硅太阳能电池的电致发光图像；响应于确定所述电致发光图像满足预设的检测条件，将所述电致发光图像输入至预先训练的单晶硅太阳能电池缺陷检测系统，得到检测结果信息，其中，所述单晶硅太阳能电池缺陷检测系统包括至少一个基于语义分割的卷积神经网络，检测结果信息用于指示输入的电致发光图像中的像素显示的内容的类别，类别包括用于表示非缺陷的第一类别和用于表示缺陷的第二类别。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
