[发明专利]一种温度检测电路

摘要

本发明提出了一种高精度的温度检测模块。温度检测模块包括5个MOS管，5个电阻，2个BJT。该电路的温度检测模块通过调节电流镜两条支路上电阻的比值来提高温度系数，其采用cascode(垂直级联)结构的输出级，使用高阶曲率补偿方法提高输出曲线线性度，具有温度系数高、受工艺参数变化影响小、电压稳定好等优点。本发明的温度检测模块电路结构简单，采用标准CMOS工艺，不会增加掩膜和工艺，降低了工艺成本。本发明的温度检测模块除了可以应用于LED照明驱动电路，电源管理芯片外，也可以用于其他需要将变化的温度转化为变化的电信号的场合。

主权项

1.一种温度检测模块，其特征在于，包括电流源(Iref)、第一NPN管 (Q1)、第二NPN管(Q2)、第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)；第一NMOS管(N1)的源极、第二NMOS管(N2)的源极与第三电阻(R3)第一端相连接地；第一NMOS管(N1)的栅极、漏极与第二NMOS管(N2)的栅极相连，构成NMOS电流镜；第一PMOS管(P1)的漏极与第一NMOS管(N1)漏极相连；第二PMOS管(P2)的漏极与第二NMOS管(N2)的漏极相连；第一PMOS管(P1)的栅极、第三PMOS管(P3)的栅极、第二PMOS管(P2)的栅极、漏极相连，构成PMOS电流镜；第一PMOS管(P1)的源极、第一电阻(R1)的第一端、第四电阻(R4)的第一端相连；第二PMOS管(P2)的源极、第一NPN管(Q1)的发射极和第五电阻(R5)相连；第一NPN管(Q1)的基极、集电极、第一电阻(R1)的第二端与第二电阻(R2)的第二端相连接电源Vdd；第四电阻(R4)的第二端、第五电阻(R5)的第二端、电流源(Iref)的第一端和第二NPN管(Q2)的发射极相连；第二NPN管(Q2)的基极、集电极和电源Vdd相连；电流源Iref的第二端与地相连；第二电阻(R2)的阻值大小与第一电阻(R1)大小相等；第二电阻(R2)的第一端与第三PMOS管(P3)的源极相连；第三PMOS管(P3)的漏极与第三电阻(R3)第二端相连构成输出端。