[发明专利]电容器结构及包括其的半导体器件有效
| 申请号： | 201810908334.7 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109390467B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金宰佑;金喆基;金澈完;朴有庆;崔吉铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H10N99/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种电容器结构及包括其的半导体器件。该电容器结构包括：包括电极垫和地垫的衬底；在衬底上的多个电介质层，多个电介质层在衬底上处于不同的水平；在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层，并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种电容器结构，包括：包括电极垫和地垫的衬底；在所述衬底上的多个电介质层，所述多个电介质层在所述衬底上处于不同的水平；在所述多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，所述多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；将所述多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及在所述多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，所述至少一个第二电介质层不同于所述至少两个第一电介质层，并且所述至少一个接触层将所述多个导电图案层电连接到所述电极垫和所述地垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810908334.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
