[发明专利]近红外二区荧光断层成像系统有效

专利信息
申请号: 201810908397.2 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN109044277B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 田捷;蔡美山;胡振华;张泽宇 申请(专利权)人: 中国科学院自动化研究所
主分类号: A61B5/00 分类号: A61B5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种近红外二区荧光断层成像系统,该系统包括:结构信息采集模块,结构信息采集模块发出X光子束,获取样本的空间结构图像;光源模块,光源模块发出白光和激光,照射样本后分别得到白光图像和荧光图像;光信息采集模块,光信息采集模块获取白光图像和荧光图像;以及中央控制模块,中央控制模块控制结构信息采集模块、光源模块和光信息采集模块,读取空间结构图像、白光图像和荧光图像,根据空间结构图像、白光图像和荧光图像得到样本的近红外二区荧光断层图像。
搜索关键词: 红外 荧光 断层 成像 系统
【主权项】:
1.一种近红外二区荧光断层成像系统,其特征在于,包括:结构信息采集模块,所述结构信息采集模块发出×光子束,获取样本的空间结构图像;光源模块,所述光源模块发出白光和激光,照射所述样本后分别得到白光图像和荧光图像;光信息采集模块,所述光信息采集模块获取所述白光图像和荧光图像;以及中央控制模块,所述中央控制模块控制所述结构信息采集模块、所述光源模块和所述光信息采集模块,读取所述空间结构图像、所述白光图像和所述荧光图像,根据所述空间结构图像、所述白光图像和所述荧光图像得到所述样本的近红外二区荧光断层图像。
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