[发明专利]护罩以及包括该护罩的衬底处理系统在审
申请号: | 201810908958.9 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109427530A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 爱德华·宋;金爀;张大铉;赵诚一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供了护罩以及包括该护罩的衬底处理系统。衬底处理系统可以包括处理室、支撑体以及等离子体源,所述等离子体源在竖直方向上与所述支撑体间隔开。所述衬底处理系统还可以包括护罩,所述护罩被构造为在其中容纳所述等离子体。所述护罩可以包括侧壁部以及第一凸缘部,所述第一凸缘部从所述侧壁部水平地延伸并且包括贯穿所述第一凸缘部的多个第一狭缝。所述第一凸缘部可以限定第一开口,并且所述支撑体的一部分延伸穿过所述第一开口。所述侧壁部可以包括多个第二狭缝,所述多个第二狭缝中的每一个可以贯穿所述侧壁部,并可以从所述多个第一狭缝之一朝向所述等离子体源延伸。 | ||
搜索关键词: | 护罩 衬底处理系统 第一凸缘 侧壁部 狭缝 等离子体源 支撑体 开口 等离子体 支撑体间隔 延伸穿过 贯穿 延伸 竖直 容纳 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理系统,包括:处理室;支撑体,位于所述处理室中并被构造为支撑衬底;等离子体源,位于所述处理室中,位于所述支撑体上方,并被构造为使用处理气体在所述处理室中产生等离子体,所述等离子体源在竖直方向上与所述支撑体间隔开;以及护罩,位于所述处理室中,位于所述支撑体与所述等离子体源之间,所述护罩被构造为在其中容纳所述等离子体,其中,所述护罩包括:侧壁部,面向所述处理室的侧壁;以及第一凸缘部,从所述侧壁部水平地延伸,并且包括贯穿所述第一凸缘部的多个第一狭缝,所述第一凸缘部限定第一开口,并且所述支撑体的一部分延伸穿过所述第一开口,其中,所述侧壁部包括多个第二狭缝,所述多个第二狭缝中的每一个贯穿所述侧壁部,并从所述多个第一狭缝之一朝向所述等离子体源延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810908958.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。