[发明专利]一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器在审

专利信息
申请号: 201810909141.3 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN108923255A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 张保平;任伯聪;陈衍晖;应磊莹;郑志威 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/187;C23C16/40;C23C14/08
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器,涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构,从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜;所述电流限制层使用氧化铝材料,氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单,改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果,降低了热效应对激光器的不良影响,增强散热性,提高器件的稳定性并延长其寿命。
搜索关键词: 电流限制层 外延层 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 氮化物半导体 氧化铝材料 电极 下电极 热效应 透明电流扩展层 半导体激光器 垂直结构 垂直内腔 化学镀膜 接触结构 物理镀膜 支撑基板 激光器 混合物 氮化铝 氮化铟 氮化镓 热传导 散热性 氧化铝 制备 阻碍 制作
【主权项】:
1.一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器,其特征在于采用垂直内腔接触结构,从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜。
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