[发明专利]一种可批量生产氮化镓的HVPE设备有效

专利信息
申请号: 201810909870.9 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN108914202B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 金英鎬;金相模;金奉辰;宋国峰 申请(专利权)人: 北京镓数智能科技有限公司
主分类号: C30B25/08 分类号: C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/40;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 北京知企鸿蒙专利代理事务所(普通合伙) 11692 代理人: 刘帅帅
地址: 100083 北京市海淀区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及半导体材料技术领域,具体公开了一种可批量生产氮化镓的HVPE设备,包括:气源室和生长室;气源室中设置有两条气体流入通道,两条气体流入通道的一端与气源室的上部连通,适于气体从气源室进入到生长室中并在生长室中混合;生长室的中部设置有主衬托盘以及布置在主衬托盘上的多个副衬托盘,副衬托盘用于放置衬底;其中,气体流入通道横向设置,主衬托盘的盘面水平放置,用于气体横向进入并与衬底竖向接触生长氮化镓。本发明通过分别设置横向气源室和竖向生长室,将资源气体的进气和氮化镓晶体的生长分开来,同时解决副衬托盘的数量以及资源气体不足的问题,进而实现了氮化镓晶体的大批量生产。
搜索关键词: 一种 批量 生产 氮化 hvpe 设备
【主权项】:
1.一种可批量生产氮化镓的HVPE设备,其特征在于,包括气源室和生长室;所述气源室中设置有两条气体流入通道,两条所述气体流入通道的一端与所述气源室的上部连通,适于气体从所述气源室进入到所述生长室中并在所述生长室中混合;所述生长室的中部设置有主衬托盘以及布置在所述主衬托盘上的多个副衬托盘,所述副衬托盘用于放置衬底;其中,所述气体流入通道横向设置,所述主衬托盘的盘面水平放置,用于气体横向进入并与所述衬底竖向接触生长氮化镓。
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