[发明专利]RF开关芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810910240.3 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN108766955A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 付伟 | 申请（专利权）人： | 付伟 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/00;H01L21/52 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种RF开关芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有间隔分布的第一、第二、第三腔室；第一滤波器芯片，位于第一腔室，具有第一电极；第二滤波器芯片，位于第二腔室，具有第二电极；放大器芯片，位于第三腔室，具有第三电极；RF开关芯片，设置于封装基板的上方，具有第四电极；第一、第二电极位于同侧，第三电极位于相对侧，互连结构导通第一、第二、第三、第四电极。本发明将多个芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成；滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片呈上下分布，提高封装基板的利用率，简化互连结构；滤波器芯片及放大器芯片内嵌设置于腔室中，使得封装结构更加轻薄。 | ||
| 搜索关键词： | 滤波器芯片 封装基板 封装结构 放大器芯片 腔室 第二电极 第三电极 互连结构 芯片电极 多腔室 电极 外设 芯片 第二腔室 第一电极 第一腔室 高度集成 间隔分布 上下分布 芯片封装 多芯片 轻薄 导通 内嵌 同侧 制作 | ||
【主权项】：
1.一种RF开关芯片电极外设的多腔室封装结构，其特征在于，包括:封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，且所述封装基板具有间隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室；第一滤波器芯片，位于所述第一腔室，所述第一滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第一上表面具有若干第一电极；第二滤波器芯片，位于所述第二腔室，所述第二滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第二上表面具有若干第二电极；放大器芯片，位于所述第三腔室，所述放大器芯片具有相对设置的第三上表面及第三下表面，所述第三上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第三上表面具有若干第三电极；RF开关芯片，设置于所述封装基板的上方，所述RF开关芯片具有相对设置的第四上表面及第四下表面，所述第四下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第四上表面具有若干第四电极；若干互连结构，用于导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干第四电极。
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