[发明专利]通过异质外延生长的石墨烯的大面积沉积方法及包含其之产品

摘要

本发明的某些实施例示例涉及到石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的应用。在某些实施例示例中，在催化剂薄膜上从烃气(hydrocarbon gas)(例如像C₂H₂、CH₄或类似物)大面积的异质外延生长为石墨烯薄膜。某些实施例示例中的石墨烯薄膜可为掺杂的或无掺杂的。在某些实施例示例中，石墨烯薄膜一旦形成，便可被剥离开其载体基底从而被转移至接收基底，例如其可被并入中间产品或成品。石墨烯以这种方式地生长、剥离与转移显示出低薄膜电阻(例如低于150欧姆/平方，掺杂时更低)与高传输值(例如，至少在可见光与红外光谱范围内)的特性。

主权项

1.一种制造石墨烯薄膜的方法，该方法包括：提供后支撑基底；直接或间接地将催化剂薄膜设置在所述后支撑基底上；将含烃气体引入到所述催化剂薄膜上；加热所述后支撑基底以使所述含烃气体至少部分的在所述含烃气体中脱碳，从而促进石墨烯在所述催化剂薄膜中和/或薄膜上生长；和快速冷却所述后支撑基底以使在制造所述石墨烯薄膜的过程中促进石墨烯直接或间接地在所述催化剂薄膜的最外层表面上结晶；其中所述催化剂薄膜具有大体上单向大颗粒的晶体结构，所述催化剂薄膜中的复数个的该晶体具有沿长轴数十微米数量级的长度；其中所述催化剂薄膜包含镍铬合金，其中铬在所述镍铬合金中的含量为3‑15％。