[发明专利]一种高动态红外图像传感器读出电路及其信号采集方法有效
申请号: | 201810910971.8 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN108989711B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 段杰斌;李琛;蒋宇;王修翠 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/33 | 分类号: | H04N5/33;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;马盼 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种高动态红外图像传感器读出电路及其信号采集方法,所述红外图像传感器读出电路包括感光电流发生模块以及电流‑电压转换模块,感光电流发生模块用于将红外感光元件的阻抗变化转换为电流变化,电流‑电压转换模块用于将光生电流转换为输出电压。本发明提供的一种高动态红外图像传感器读出电路及其信号采集方法,使得读出电路的输出电压与光生电流成对数关系,从而提高输出电压的动态范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 动态 红外 图像传感器 读出 电路 及其 信号 采集 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高动态红外图像传感器读出电路,其特征在于,包括感光电流发生模块以及电流‑电压转换模块,所述感光电流发生模块包括红外感光元件、运算放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,所述电流‑电压转换模块包括第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第三PMOS管和电容,其中,所述红外感光元件一端与电源负极相连,另一端与所述第一NMOS管的源极相连;所述第一NMOS管的漏极与所述运算放大器的正极及第一PMOS管的漏极共同连接于第一节点,所述第一NMOS管的栅极与第一控制信号相连;所述运算放大器的负极与参考电压相连,所述运算放大器的输出端与第一PMOS管的栅极及第二PMOS管的栅极相连;所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极以及第三NMOS管的栅极共同连接于第二节点;所述第四NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连,所述第四NMOS管的漏极与所述电容的一端、第五NMOS管的源极、第六NMOS管的栅极共同连接于第三节点;所述电容的另一端与所述第五NMOS管的栅极、第五NMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极共同连接,并作为读出电路的输出端;所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极均与电源正极相连,所述第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和第六NMOS管的源极均与电源负极相连;所述第三PMOS管的栅极与第一偏置电压相连,所述第四NMOS管的栅极与第二控制信号相连。
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