[发明专利]电池充电装置

摘要

本发明公开了一种电池充电装置。电池充电装置包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池。利用本发明可以有效地提高充电电流的电源抑制比。

主权项

1.电池充电装置，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极，发射极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第五PMOS管的栅极，漏极接所述第四PMOS管的源极；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极和所述第六PMOS管的栅极，源极接所述第三PMOS管的漏极；所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和第六PMOS管的栅极，发射极接地；所述第五PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第六PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第六PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接所述第五PMOS管的漏极；所述第二电阻的一端接所述第六PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。