[发明专利]一种基于垂直腔半导体光放大器的低功耗光学突触装置有效
| 申请号： | 201810913149.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110794635B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 项水英;张雅慧;龚俊楷 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F3/00 | 分类号： | G02F3/00;G06E3/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于垂直腔半导体光放大器的低功耗光学突触装置。该发明属于光信息处理技术领域，主要应用于光子脉冲神经网络的构建。所述的装置如附图所示，包括两个垂直腔面发射半导体激光器VCSEL1，VCSEL2，可调光延时线VODL，两个光耦合器OC1，OC2，三端口光环型器Circulator，垂直腔半导体光放大器VCSOA，为垂直腔半导体光放大器提供偏置电流和温度控制的Bias and TEC，两个带通滤波器λ |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 垂直 半导体 放大器 功耗 光学 突触 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于垂直腔半导体光放大器的低功耗光学突触装置，包括两个垂直腔面发射半导体激光器VCSEL1，VCSEL2，可调光延时线VODL，两个光耦合器OC1，OC2，三端口光环型器Circulator，垂直腔半导体光放大器VCSOA，为垂直腔半导体光放大器提供偏置电流和温度控制的Bias and TEC，两个带通滤波器λ
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