[发明专利]制造ISE半电池的方法、传感器和多参数传感器有效
| 申请号： | 201810914486.8 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109387551B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 霍尔姆·佩措尔德;延斯·费特曼;埃里克·亨宁斯 | 申请（专利权）人： | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表两合公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/413 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆森;戚传江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造ISE半电池的方法、ISE半电池、传感器和多参数传感器。公开了一种用于制造ISE半电池(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中；从所述膜溶液(5)中移除所述空心体(3)；对所述空心体(3)进行干燥并从所述膜溶液(5)中蒸发所述溶剂，由此在所述空心体(3)的浸入端建立离子选择膜(4)；以及完成所述空心体(3)以制成ISE半电池(1)。本发明还公开了一种根据此种方法制造的ISE半电池(1)。本发明还公开了包括几个此种ISE半电池(1)的传感器(21)和多参数传感器(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 ise 电池 方法 传感器 参数 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造ISE半电池(1)的方法，所述方法包括以下步骤：将空心体(3)的第一端浸入包括至少一种溶剂和离子特异性离子载体的膜溶液(5)中，从所述膜溶液(5)中移除所述空心体(3)，对所述空心体(3)进行干燥并从所述膜溶液(5)中蒸发所述溶剂，由此在所述空心体(3)的浸入端建立离子选择膜(4)，以及完成所述空心体(3)以制成ISE半电池(1)。
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