[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201810914776.2 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110828563B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/417;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种隧穿场效晶体管及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、位于基底上的绝缘层和位于绝缘层上的半导体层，所述半导体层内具有源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；去除所述半导体层的沟道区，在半导体层内形成侧壁暴露出所述源区和漏区的开口；对所述开口的源区侧壁进行第一离子注入；在所述第一离子注入之后，对所述开口的漏区侧壁表面和源区侧壁表面进行氧化处理，在所述漏区侧壁表面形成第一氧化层，在所述源区侧壁表面形成第二氧化层，所述第二氧化层厚度大于第一氧化层厚度；刻蚀所述第一氧化层和第二氧化层，直至暴露出开口的漏区侧壁表面，在源区侧壁表面形成隧穿介质层。所述方法形成的器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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