[发明专利]多晶硅棒和单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201810915033.7 | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109694076A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一;石田昌彦;星野成大;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;C30B29/06;C30B15/00;C30B13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅棒 熔点 单晶硅 结晶区域 制造 化学气相法 显微镜观察 板状试样 结晶粒子 针状结晶 多晶硅 质地 集合 观察 培育 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅棒，其是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样片从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。
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