[发明专利]光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模有效

专利信息
申请号: 201810915785.3 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN110824851B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 李宗彦;傅中其;陈立锐;郑博中;郭爵旗;郑介任 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/52
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;冯志云
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种光刻设备的洁净度的检测方法,包括:放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上,且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上;通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上;将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台;以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。
搜索关键词: 光刻 设备 洁净 检测 方法 以及 反射 式光掩模
【主权项】:
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