[发明专利]原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法有效
| 申请号： | 201810916176.X | 申请日： | 2018-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065738B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 郑直;刘启;陈璐;雷岩;杨晓刚;齐瑞娟 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于材料化学技术领域，涉及一种原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH |
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| 搜索关键词： | 原位 合成 结晶度 掺杂 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于铜铅合金合成高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的化学方法，其特征在于：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。
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